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技術成果

重點項目介紹

天津市2007年二十项重大工业项目之一 6英寸0.35微米功率半導體器件生产线该项目是天津市二十大重点工业项目,生产线具备完善MOSFET/SBD/IGBT/FRED/TVS等加工工艺,可进行功率集成电路的生产、制造,成为国内最先进的功率生产线之一。拥有6英寸0.35微米功率器件,主要产品为功率集成电路和VDMOS、Trench MOS、SBD、FRD、IGBT等系列功率分立器件。

该条生产线具备研发IGBT及对IGBT用区熔硅材料验证的能力。公司具有多年从事半导体功率器件研发和生产的经验,拥有半导体功率器件从芯片制造到产品封装的全套技术。目前公司已成功实现6英寸IGBT用区熔硅单晶材料的产业化技术,并成功研制出1200V Trench IGBT。

天津市2008年二十项重大工业项目之一 天津市2008年二十项重大工业项目之一 该项目建成了Φ4-Φ6〞大直径区熔硅单晶及抛光片生产线,完成了Φ4-Φ6〞区熔硅单晶抛光片的腐蚀、背损伤、背封、抛光等核心技术的开发,实现了高质量的大直径区熔硅抛光片产品的产业化,核心技术达到国内领先水平。

相關産品廣泛應用在國家重點大型水利工程、國家電網工程高速軌道交通、電動汽車及混合動力汽車、綠色節能産業,對節能、綠色、環保等領域具有極其重要的戰略意義。

呼和浩特市2009年重点工业项目之一 绿色可再生能源太阳能电池用硅单晶材料产业化项目该项目中的高效太阳能电池用硅单晶、高拉速单晶生长技术、多次加料晶体生长技术及钻石线切割技术等关键技术属国内首创。同时完成了面向太阳能电池N型晶体制备及DW超薄高效太阳能硅片加工等关键技术的研发及产业化,为产品在市场上的差异化、产销规模的领先地位及企业的发展奠定了坚实的基础。

国家科技重大专项《极大规模集成电路制造装备及成套工艺》---02专项《区熔硅单晶片产业化技术与国产设备研制》项目该项目面向高压大功率IGBT芯片产品制造需求,研究开发直径Φ6~Φ8〞区熔硅单晶片产业化技术,满足1200V-6500V IGBT芯片产业化对区熔硅单晶的需求。2011年拉出我国第一颗区熔硅单晶,打破了国外企业对Φ8〞区熔硅单晶的技术垄断;2013年在国产区熔设备上拉制出我国首颗国产设备Φ8〞区熔硅单晶,产品达到国际先进水平,不仅满足了国内日益增长的IGBT市场需求,为构建国内区熔硅材料产业联盟、合力解决国内区熔产业存在的多项重大技术问题贡献了不可或缺的力量。

8英寸矽抛光片的研發及産業化該項目是公司引進二氧化矽背封機、邊緣抛光機、單面抛光系統、矽片分選儀等工藝檢測設備,應用新技術,新工藝獨立開發具有自主知識産權的8英寸節能型功率器件用、大規模集成電路用矽抛光片生産技術,在消費電子、工業控制、新能源、智能電網、軌道交通、大型工業設施等電力電子産業領域進行應用。促進了國內節能型功率器件、新型電力電子器件等産業的發展,實現高端材料的規模化生産,滿足國際市場對高端區熔矽片日益增長的需求。

CFZ區熔單晶矽及金剛石線切片項目該項目主要采用自主研發的直拉區熔法(CFZ)制備高純高效單晶矽棒技術。通過CFZ法大幅度降低了區熔中子輻照單晶和區熔氣摻單晶的成本,其産品可以廣泛用于現有區熔中、低阻值半導體市場,同時因其品質優勢和低成本特點可以對現有直拉IC級市場進行産業延伸;在太陽能應用領域,因其産品具有低氧碳含量、高純度、高壽命、抗輻射的特點,提高了太陽能電池用單晶矽的光電轉換效率,可以達到24%-26%。

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